[发明专利]光电转换元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201280076453.1 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN104737319A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 百濑悟;吉川浩太;土井修一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光电转换元件，具备阳极(2)、阴极(6)和光电转换层(4)，该光电转换层(4)含有构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)和n型有机半导体材料(4B)，作为上述p型有机半导体材料，含有在主链含有咔唑环、芴环或环戊并二噻吩环的非晶性的高分子化合物，作为上述n型有机半导体材料，含有非晶性的富勒烯衍生物，光电转换层在X射线衍射图谱中具有与面间距d＝1.6nm～2.0nm对应的衍射峰。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，具备阳极、阴极和光电转换层，所述光电转换层含有构成本体异质结的p型有机半导体材料和n型有机半导体材料，作为所述p型有机半导体材料，含有在主链含有咔唑环、芴环或环戊并二噻吩环的非晶性的高分子化合物，作为所述n型有机半导体材料，含有非晶性的富勒烯衍生物，所述光电转换层在X射线衍射图谱中具有与面间距d＝1.6nm～2.0nm对应的衍射峰。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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