[发明专利]基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法

摘要

本发明的一个实施例涉及基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，要解决的技术问题为借助电子束使形成于低价型基板上的非晶硅薄膜结晶化而实现由于结晶率高而可容易实现高品质，并实现可在低温下处理。为此，本发明的一个实施例提供一种基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，上述方法包括准备基板的基板准备步骤；第1+型非晶硅层沉积步骤，在基板上形成第1+型非晶硅层；第1型非晶硅层沉积步骤，在第1+型非晶硅层上形成第1型非晶硅层；吸收层形成步骤，向第1型非晶硅层照射线性电子束，使第1型非晶硅层和第1+型非晶硅层结晶化而形成吸收层；第2型非晶硅层沉积步骤，在吸收层上形成第2型非晶硅层；以及发射极层形成步骤，向第2型非晶硅层照射线性电子束，使第2型非晶硅层结晶化而形成发射极层，线性电子束以在第1型非晶硅层和第2型非晶硅层上进行规定区间的往复运动的线性扫描方式进行照射。

主权项

一种基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：准备基板的基板准备步骤；第1+型非晶硅层沉积步骤，在上述基板上形成第1+型非晶硅层；第1型非晶硅层沉积步骤，在上述第1+型非晶硅层上形成第1型非晶硅层；吸收层形成步骤，向上述第1型非晶硅层照射线性电子束，使上述第1型非晶硅层和上述第1+型非晶硅层结晶化，而形成吸收层；第2型非晶硅层沉积步骤，在上述吸收层上形成第2型非晶硅层；以及发射极层形成步骤，向上述第2型非晶硅层照射线性电子束，使上述第2型非晶硅层结晶化，而形成发射极层，上述线性电子束以在上述第1型非晶硅层和上述第2型非晶硅层上进行规定区间往复运动的线性扫描方式进行照射。