[发明专利]半导体装置、汽车在审
| 申请号： | 201280078050.0 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN104885218A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 爱甲光德;荒木慎太郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/58;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具有：半导体元件，其具有栅极，并由栅极电压进行控制；栅极驱动电路，其控制该栅极电压；电极，其与该半导体元件连接，流过该半导体元件的主电流；温度检测部，其检测该电极的温度；生成部，其基于由该温度检测部检测出的温度，生成在该电极的温度不超过预定的温度的范围内向该半导体元件提供最大的通电量的第1控制信号；以及比较部，其将该第1控制信号与为了控制该栅极电压而从外部传送的第2控制信号进行比较，选择能够抑制该电极的温度一方的控制信号即选择控制信号。而且，该栅极驱动电路根据该选择控制信号控制该栅极电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 汽车 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件，其具有栅极，并由栅极电压进行控制；栅极驱动电路，其控制所述栅极电压；电极，其与所述半导体元件连接，流过所述半导体元件的主电流；温度检测部，其检测所述电极的温度；生成部，其基于由所述温度检测部检测出的温度，生成在所述电极的温度不超过预定的温度的范围内向所述半导体元件提供最大的通电量的第1控制信号；以及比较部，其将所述第1控制信号与为了控制所述栅极电压而从外部传送的第2控制信号进行比较，选择能够抑制所述电极的温度一方的控制信号即选择控制信号，所述栅极驱动电路根据所述选择控制信号控制所述栅极电压。
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