[发明专利]一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及制备方法有效
申请号: | 201310000243.0 | 申请日: | 2013-01-04 |
公开(公告)号: | CN103035842A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 李福山;郭太良;寇丽杰;陈伟;吴朝兴;吴晓晓;胡雪花 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/40 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350001 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及其制备方法,该阻变存储器是在绝缘衬底上形成包括底电极、有机功能层以及顶电极的三层结构器件。本发明中有机功能层采用掺杂有石墨烯量子点的聚合物溶在底电极上旋涂成膜,并采用热蒸发法蒸镀阴极金属材料成膜形成顶电极,制成基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器。该器件的制备工艺简单,过程易控制,重复性高,器件的结构简单,性能稳定,响应速度快,且可通过柔性衬底制成柔性器件,用于高度集成的大容量多值存储器领域,具有很高的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 量子 掺杂 有机 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器,其特征在于:采用石墨烯量子点掺杂的聚合物作为有机功能层,在衬底上形成包括底电极、有机功能层以及顶电极的三层结构器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310000243.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种内附线高压设备测试杆
- 下一篇:一种生活垃圾焚烧厂净化后烟气处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择