[发明专利]一种PTC陶瓷烧结方法

摘要

本发明公开了一种正温度系数（PTC）陶瓷烧结方法。将PTC陶瓷素坯放入坩埚中，快速升温-保温、快速降温-保温、进一步快速升至稍高温度-保温三步烧结工艺，使烧结块体快速致密化，然后随炉冷却，使陶瓷的密度达到理论密度。通过改变陶瓷烧结工艺，使烧结块体经历较高的烧结温度后在较低温度保温，抑制了晶界的快速移动，可以获得晶粒细小且均匀的烧结块体，而进一步在稍高的温度处理，可以大大减少烧结时间，最终获得结构致密、晶粒尺寸均匀、具有较低室温电阻率和较高PTC效应的陶瓷，这些特性有利于满足PTC陶瓷传感器的高灵敏度、高可靠性、耐冲击性、高安全性等各种功能的要求。

主权项

一种正温度系数即Positive Temperature Coefficient简写为 PTC陶瓷的烧结方法，其特征在于具体步骤为：（1）将排胶以后的正温度系数陶瓷即PTC陶瓷素坯放入坩埚中，炉温以3~7℃/min的升温速率升至1300~1380℃，保温0~10分钟，使陶瓷的密度达到理论密度的75%以上；（2）步骤（1）完成后，炉温以100~200℃/min的降温速率降至1100~1190℃，保温120~240分钟，使陶瓷的密度达到理论密度的97%以上；（3）步骤（2）完成后，炉温以80~150℃/min的升温速率升至1200~1280℃，保温90~180分钟，使陶瓷的密度达到理论密度，然后随炉冷却。