[发明专利]高真空三室三掩模库薄膜沉积系统无效
| 申请号： | 201310000754.2 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103060755A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 吕正红;张晋;王登科;刘春;周红章;孙影 | 申请（专利权）人： | 云南大学;中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650091 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高效率制备薄膜器件的高真空三室三掩模库薄膜沉积系统，该系统由氧化物生长室、金属生长室、有机物生长室、手套箱、基片架和掩模库组件、电动传送杆组件、传递小车组件、热蒸发水冷电极、有机源蒸发炉、抽气系统、安装机台、真空测量、膜厚测试及电控系统组成，其特征在于：所述的氧化物生长室、金属生长室、有机物生长室顶部均安装有基片架和掩模库组件，一个掩模库可放5个基片架，每个基片架可放9块基片，因此，在原位真空条件下可实现一次对126片基片进行多层膜沉积至器件封装，大幅度提高多层膜材料及器件制作效率，同时降低薄膜沉积系统的建造成本。适用于生长各种薄膜，制备有机发光器件、有机薄膜太阳能电池以及有机薄膜晶体管等薄膜器件。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 三室三掩模库 薄膜 沉积 系统 | ||
【主权项】：
一种高真空三室三掩模库薄膜沉积系统，具备：氧化物生长室、金属生长室、有机物生长室三个高真空薄膜生长室；手套箱，用于薄膜器件的封装；三套基片架和掩模库组件，用于支撑和存放基片；两套电动传送杆组件，用于在三室之间传送基片；传递小车组件，用于在金属生长室与手套箱之间的交接和传输基片，以实现在原位真空条件下基片多层膜沉积至器件封装集成一体化；此外，还包含热蒸发水冷电极、有机源蒸发炉、抽气系统、安装机台、真空测量、膜厚测试及电控装置；其特征在于：所述的氧化物生长室、金属生长室、有机物生长室顶部均安装有基片架和掩模库组件，一个掩模库可放5个基片架，每个基片架可放9块基片，因此在原位真空条件下可实现一次对126片基片进行多层膜沉积至器件封装。
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