[发明专利]一种太阳能电池表面低温钝化方法

摘要

本发明涉及硅太阳能电池的钝化技术领域，公开了一种太阳能电池表面低温钝化方法，将氧气O2或水蒸汽H2O与氧气O2的混合物作为反应源，加入调节钝化层折射率的反应物，再加入抑制纳米结构与发射极中掺杂物质扩散的反应物，完成反应源的配制；将已经制备好纳米结构的纳米表面硅太阳能电池样品放入高压反应釜中，向高压反应釜中通入已配制好的反应源，密封后加热，高浓度反应源弥散进入纳米表面硅太阳能电池表面纳米结构的缝隙中，热氧化形成的氧化硅钝化层完全覆盖于纳米表面硅表面，纳米结构与发射极完全被氧化硅钝化层包覆。本发明在较低的温度下即可完成氧化硅钝化层的制备，避免了高温对原型器件的破坏；反应源中方便加入掺杂剂，可调节钝化层折射率。

主权项

一种太阳能电池表面低温钝化方法，其特征在于：将氧气O2或水蒸汽H2O与氧气O2的混合物作为反应源，首先加入调节钝化层折射率的反应物，然后加入抑制纳米结构（6）与发射极（3）中掺杂物质扩散的反应物，完成反应源的配制；将已经制备好纳米结构（6）的纳米表面硅太阳能电池样品放入高压反应釜中，向高压反应釜中通入已配制好的反应源，密封后加热，高浓度反应源弥散进入纳米表面硅太阳能电池表面纳米结构（6）的缝隙中，热氧化形成的氧化硅钝化层（5）完全覆盖于纳米表面硅表面，纳米结构（6）与发射极（3）完全被氧化硅钝化层（5）包覆。