[发明专利]一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法，复合材料主要原料按以下重量百分比构成：超高分子量聚乙烯UHMWPE94～99.7％，氧化石墨烯GONS0.3～6％。其制备工艺如下：(1)原料干燥；(2)GONS/UHMWPE导电粒子制备；(3)高温压制成型。本发明利用材料热压制备过程中的高温原位还原氧化石墨烯，避免了氧化石墨烯在化学还原过程中的团聚。使复合材料拥有更低的导电逾渗值，更高的电导率和电磁屏蔽性能，且制备过程简单，工艺易于掌握，生产成本低，容易实现大批量生产。

主权项

一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法，复合材料主要原料按如下重量百分比构成：超高分子量聚乙烯UHMWPE           94～99.7％氧化石墨烯GONS                    0.3～6％其制备方法按如下的步骤：(1)原料干燥：将直径200～1000nm，厚度0.9～1.5nm的GONS在烘箱中干燥，直到水分重量含量低于0.01％；(2)GONS/UHMWPE复合粒子制备：将步骤(1)中干燥后的GONS和去离子水按质量比1∶40～1∶200配成悬浮液，超声搅拌GONS悬浮液直到均匀分散；再将UHMWPE粒子倒入分散好的GONS悬浮液中，通过超声搅拌均匀；然后通过减压蒸馏除去溶剂；最后，在低于60°C的烘箱中干燥直到水分重量含量低于0.01％，得到GONS/UHMWPE导电复合粒子；(3)高温压制成型：将步骤(2)制备的GONS/UHMWPE导电复合粒子在室温下预压，时间不低于3分钟，压力不低于500MPa；然后在250～280°C和不高于0.1MPa下热压30分钟以上，热压期间需氮气保护，以免超高分子量聚乙烯高温交联；最后在常压下冷却至室温，得到目标产品。