[发明专利]一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201310001074.2 申请日: 2013-01-04
公开(公告)号: CN103043601A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 侯中宇;房茂波 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法,包括步骤:制备纳米材料混合液或纳米材料溶液;制造载气流场;形成纳米材料雾化液滴;载气流场带动纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。本发明还公开了一种基片强适应性纳米材料均匀化成膜装置,包括液体样品容器、超声雾化器、向上气流发生器、系统状态控制器。本发明能够通过制造均匀的载气流场,实现均匀的雾化液滴流,极大地提高了基片表面雾化液滴的覆盖均匀性,从而提高纳米材料的成膜均匀性,更好地实现了对成膜厚度的控制。此外,本发明所述方案对操作环境、基片类型、纳米材料的类型等因素具有很好的适应性。
搜索关键词: 一种 基片强 适应性 纳米 材料 均匀 方法 及其 装置
【主权项】:
一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备纳米材料混合液或纳米材料溶液;2)在步骤1)中所得的纳米材料混合液或纳米材料溶液上方的气体中,制造载气流场;3)雾化步骤1)所得的纳米材料混合液或纳米材料溶液,形成纳米材料雾化液滴;4)步骤2)所述的载气流场带动步骤3)形成的所述纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310001074.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top