[发明专利]一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法及其装置有效
申请号: | 201310001074.2 | 申请日: | 2013-01-04 |
公开(公告)号: | CN103043601A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 侯中宇;房茂波 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法,包括步骤:制备纳米材料混合液或纳米材料溶液;制造载气流场;形成纳米材料雾化液滴;载气流场带动纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。本发明还公开了一种基片强适应性纳米材料均匀化成膜装置,包括液体样品容器、超声雾化器、向上气流发生器、系统状态控制器。本发明能够通过制造均匀的载气流场,实现均匀的雾化液滴流,极大地提高了基片表面雾化液滴的覆盖均匀性,从而提高纳米材料的成膜均匀性,更好地实现了对成膜厚度的控制。此外,本发明所述方案对操作环境、基片类型、纳米材料的类型等因素具有很好的适应性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基片强 适应性 纳米 材料 均匀 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备纳米材料混合液或纳米材料溶液;2)在步骤1)中所得的纳米材料混合液或纳米材料溶液上方的气体中,制造载气流场;3)雾化步骤1)所得的纳米材料混合液或纳米材料溶液,形成纳米材料雾化液滴;4)步骤2)所述的载气流场带动步骤3)形成的所述纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。
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