[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201310002147.X | 申请日: | 2013-01-04 |
公开(公告)号: | CN103199082B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 沈载株;金汉洙;李云京;林周永;黄盛珉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括设置在衬底上的第一和第二隔离图案。交替堆叠的层间绝缘图案和导电图案设置在衬底的表面上且在第一和第二隔离图案之间。支撑图案贯穿导电图案和层间绝缘图案,并具有比第一和第二隔离图案小的宽度。第一垂直结构设置在第一隔离图案和支撑图案之间并贯穿导电图案和层间绝缘图案。第二垂直结构设置在第二隔离图案和支撑图案之间并贯穿导电图案和层间绝缘图案。支撑图案的顶表面和底表面之间的距离大于支撑图案的底表面与衬底的表面之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:设置在衬底上的第一和第二隔离图案;在所述衬底的表面上且在所述第一和第二隔离图案之间,交替堆叠的层间绝缘图案和导电图案;支撑图案,贯穿所述导电图案和所述层间绝缘图案,所述支撑图案具有比所述第一和第二隔离图案小的宽度;第一和第二垂直结构,分别在所述支撑图案的相反两侧,所述第一和第二垂直结构的每个贯穿所述导电图案和所述层间绝缘图案,其中所述支撑图案的顶表面和底表面之间的距离大于所述支撑图案的底表面与所述衬底的表面之间的距离,其中所述支撑图案的顶表面设置在与所述第一和第二垂直结构的顶表面不同的水平,其中所述第一和第二隔离图案的顶表面设置在比所述支撑图案以及所述第一和第二垂直结构的所述顶表面高的水平。
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