[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底，所述衬底包括单元区和外围电路区；掩埋栅，所述掩埋栅形成在单元区的衬底中；位线，所述位线形成在掩埋栅之间的单元区之上，并且包括第一阻挡层；以及栅，所述栅形成在外围电路区之上，并且包括第二阻挡层和第三阻挡层。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括单元区和外围电路区；掩埋栅，所述掩埋栅形成在所述单元区的衬底中；位线，所述位线形成在所述掩埋栅之间的单元区之上，并且包括第一阻挡层；以及外围栅，所述外围栅形成在所述外围电路区之上，并且包括第二阻挡层和在所述第二阻挡层之上的第三阻挡层,其中，所述第二阻挡层具有比所述第一阻挡层的厚度更大的厚度，以允许所述位线的高度低于所述外围栅的高度，其中，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层的每个包括叠层，所述叠层包括钛层、氮化钨层以及钨硅氮化物层，其中，所述第二阻挡层中所包括的氮化钨层与钨硅氮化物层的厚度大于所述第一阻挡层中所包括的氮化钨层与钨硅氮化物层的厚度。