[发明专利]一种可调谐半导体激光器无效
| 申请号： | 201310002636.5 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103066494A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 赵家霖;余永林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张若华 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可调谐半导体激光器，在前光栅区的上限制层、后光栅区的上限制层中分别制作有前多相移数字级联布拉格光栅、后多相移数字级联布拉格光栅。所述的前多相移数字级联布拉格光栅和后多相移数字级联布拉格光栅通过在数字级联布拉格光栅相邻取样周期间加入相移制作。本发明采用的多相移数字级联布拉格光栅的反射谱的峰值均匀性很好，由于多相移数字级联布拉格光栅通过反射谱的级联，反射谱带宽内反射信道数目增加了几倍，同时采用多相移技术，可以使多相移数字级联布拉格光栅反射谱的反射信道数目再次成倍增加，使激光器可达到的调谐范围更宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调谐 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种可调谐半导体激光器，包括前光栅区、有源区和后光栅区，所述的前光栅区和后光栅区从上至下均包括电极接触层、盖帽层、上限制层、光波导层和下限制层，所述的有源区从上至下包括电极接触层、盖帽层、上限制层、有源层和下限制层，其特征在于：所述的前光栅区的上限制层、后光栅区的上限制层中分别制作有前多相移数字级联布拉格光栅、后多相移数字级联布拉格光栅。
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