[发明专利]MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法有效
| 申请号： | 201310002748.0 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103064000A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;王熙庆;张钢刚;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/27 | 分类号： | G01R31/27 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法，所述装置包括行选择器，第一列选择器，第二列选择器和监测管。所述监测MOS管阵列阈值电压的方法利用上述装置，通过对待测MOS管阵列中的MOS管和监测管的电路连接，使得原本难以监测的MOS管阵列阈值电压的分布及漂移能够方便读出，大大缩短测量时间。 | ||
| 搜索关键词： | mos 阵列 阈值 电压 分布 监测 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置，其特征在于，包括行选择器，第一列选择器，第二列选择器和监测管；所述行选择器包括行电平端口，多对相对应的行选端口和行通端口；所述第一列选择器和第二列选择器均包括列电平端口，多对相对应的列选端口和列通端口；所述待测MOS管阵列中各行的所有MOS管的栅极相连，并连接于所述行选择器的各行通端口；所述待测MOS管阵列中各列的所有MOS管的源极相连，并连接于所述第一列选择器的各列通端口；所述待测MOS管阵列中各列的所有MOS管的漏极相连，并连接于所述第二列选择器的各列通端口；所述第二列选择器的列电平端口与监测管的源极相连；所述监测管的漏极与其栅极相连。
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