[发明专利]一种碳化硅单晶切割线定位的方法有效
| 申请号： | 201310004294.0 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103101121A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 邓树军;高宇;段聪;赵梅玉;陶莹 | 申请（专利权）人： | 保定科瑞晶体有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅单晶切割线定位的方法，本发明使用线光源照射位于晶体底面正前方的切割线，切割线在晶体底面上产生阴影直线，检测切割线与阴影直线间的距离，以此为基准调整晶体的位置，使切割线与晶体底面保持平行，切割出厚度均匀一致的晶体薄片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 切割 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶切割线定位的方法，其特征在于，包括：1）将圆柱状碳化硅晶体固定在载物台上，将晶体任一底面抛光或研磨平整，调整晶体在载物台上的位置，使切割线与抛光后的底面平行，在抛光后的底面的正前方设置一个线光源，线光源与切割线平行，且与切割线的相对位置一致；2）在抛光后的底面的正前方且正对切割线的位置安装图象采集摄像机，实时采集抛光后的底面、切割线、阴影直线的图像；3）水平方向上调整晶体：调整切割线至抛光后的底面正前方2～20mm处，线光源照射切割线，在抛光后的底面上产生一条阴影直线，图象采集摄像机采集抛光后的底面、切割线、阴影直线的图像，计算切割线与阴影直线间的距离，以此距离为标准，水平调整晶体的位置，使切割线与阴影直线平行；4）竖直方向上调整晶体：调整切割线至抛光后的底面正前方2～20mm处，线光源照射切割线，在抛光后的底面上产生一条阴影直线，图象采集摄像机采集抛光后的底面、切割线、阴影直线的图像，计算切割线与阴影直线间的距离，以此距离为标准，调整切割线在抛光后的底面的竖直方向上的移动，调整晶体的前后仰角，使切割线与阴影直线间的距离在切割线移动的过程中保持固定。
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