[发明专利]一种CIGS基薄膜光伏材料的钠掺杂方法有效
| 申请号： | 201310004776.6 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103915516A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李艺明;田宏波 | 申请（专利权）人： | 厦门神科太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CIGS基薄膜光伏材料的钠掺杂方法。其中包括一衬底，覆盖衬底表面的阻挡层，覆盖阻挡层的金属背电极层，覆盖金属背电极层的光吸收层，覆盖光吸收层的缓冲层，覆盖缓冲层的透明导电窗口层。其中通过沉积Ga-Na合金材料的方法对光吸收进行钠掺杂，光吸收层经过热处理，以便形成铜与（铟+镓）原子比为0.84-0.99的含钠光吸收层材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cigs 薄膜 材料 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种CIGS基薄膜光伏材料的钠掺杂方法，其特征在于：使用包含58‑82at%Ga和18‑42at%Na的镓钠合金材料沉积薄膜，使其对CIGS基薄膜光伏材料的光吸收层进行钠掺杂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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