[发明专利]掩模及其图案配置方法与曝光方法有效
| 申请号： | 201310004794.4 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103246158A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 巫世荣;谢绍伟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/70 | 分类号： | G03F1/70;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩模及其图案配置方法与曝光方法。掩模的图案配置方法包括以下步骤：将多个几何图案以多行排列于一掩模；排列于奇多行的几何图案的排列方式相似，排列于偶多行的几何图案的排列方式相似；选取二奇多行或二偶多行为一第一边界行及一第二边界行；于第一边界行及第二边界行的各个对应处，仅挑选第一边界行或第二边界行配置一个几何图案。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 图案 配置 方法 曝光 | ||
【主权项】：
一种掩模的图案配置方法，包括：将多个几何图案以多行排列于一掩模，排列于奇多行的该多个几何图案的排列方式相似，排列于偶多行的该多个几何图案的排列方式相似；选取二奇多行或二偶多行为一第一边界行及一第二边界行；以及于该第一边界行及该第二边界行的各个对应处，仅挑选该第一边界行或该第二边界行配置一个几何图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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