[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读出方法有效
| 申请号： | 201310006293.X | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103578557A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 大石正幸;伊藤伸彦 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可防止通道升压、防止电流从位线流至源极线且缩短数据读取所需的感测时间的非易失性半导体装置及其读出方法。此非易失性半导体装置包括：多个存储器串，由分别连接至各字线的多个存储单元串连而成，每个存储器串通过第一及第二选择门晶体管连接于位线与源极线之间；控制电路，控制第一及第二选择门晶体管，使得当字线的电压上升至既定的电平用以读出存储单元中的数据时，第一选择门晶体管导通且第二选择门晶体管关闭的第一状态以及第一选择门晶体管关闭且第二选择门晶体管导通的第二状态交互产生。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 读出 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体装置，包括：多个存储器串，由分别连接至各字线的多个存储单元串连而成，每个该存储器串通过第一及第二选择门晶体管连接于位线与源极线之间；控制电路，控制该第一及第二选择门晶体管，使得当该字线的电压上升至既定的电平用以读出该存储单元中的数据时，该第一选择门晶体管导通且该第二选择门晶体管关闭的第一状态以及该第一选择门晶体管关闭且该第二选择门晶体管导通的第二状态交互产生。
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