[发明专利]控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法和半导体结构

摘要

本发明公开了一种控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法和半导体结构，通过在半导体晶圆第一面设置测量槽，并在测量槽中形成透明保护层，使得在后续腐蚀形成半导体膜的过程中，测量槽底部的晶圆材料被腐蚀露出透明保护层，根据透明保护层底部限定的参考平面获得其与半导体膜表面的高度差，根据测量槽的深度和所述高度差即可精确得到半导体膜的当前厚度，由此进一步控制腐蚀参数来腐蚀得到厚度精确的半导体膜。本发明克服了由于半导体晶圆厚度误差的造成的半导体膜厚度难以监控和测量的问题。

主权项

一种控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法，包括：在半导体晶圆的第一表面制作至少一个具有第一深度的测量槽；其中，所述第一深度大于所述半导体膜的期望厚度；在所述测量槽内形成透明保护层；在半导体晶圆的第二表面上所述半导体膜对应的区域以及所述测量槽对应的区域进行深槽腐蚀，以形成所述半导体膜；其中，所述第二表面与所述第一表面相对，且所述深槽腐蚀使得所述透明保护层露出；从半导体晶圆的第二表面测量所述透明保护层与腐蚀形成的半导体膜表面之间的高度差；根据所述第一深度和所述高度差的差值计算所述半导体膜的当前厚度；根据所述半导体膜的当前厚度对所述半导体膜对应的区域进行进一步腐蚀使得半导体膜的厚度达到所述期望厚度。