[发明专利]一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件有效
| 申请号： | 201310006807.1 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103077963A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 卢洋藩;顾建龙;叶志镇;陈匆;吴惠敏;汪雷;陈凌翔;叶春丽;李霞 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三电极层是Ti金属层，第四电极层是热惰性金属层。其制备方法包括在n型宽带隙半导体基底表面制备出电极图案，再采用真空热电子束蒸发或溅射法在基底上依次沉积Ti金属、Ni金属、Ti金属和热惰性金属层。本发明可以提供n型宽带隙半导体基底上具有低接触电阻率、热稳定性和热平整性的欧姆接触电极，及具有该欧姆接触电极的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 电极 制备 方法 包含 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极，其特征在于：所述的电极包括置于n型宽带隙半导体基底(1)上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层(2)是Ti金属层，第二电极层(3)是Ni金属层，第三电极层(4)是Ti金属层，第四电极层(5)是热惰性金属层。
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