[发明专利]半导体装置以及使用其的图像传感器封装在审
申请号: | 201310007012.2 | 申请日: | 2013-01-08 |
公开(公告)号: | CN103208500A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 全炫水 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体装置和一种图像传感器封装。该图像传感器封装包括:半导体装置,包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的主体、形成在主体的第一表面中的第一沟槽、形成在主体的第二表面中的第二沟槽、形成在第二沟槽的底表面中的第三沟槽以及将第一沟槽连接到第三沟槽的孔;透明构件,位于第三沟槽中并覆盖所述孔;安装板,位于主体的第二表面下面;以及图像传感器芯片,位于安装板和透明构件之间并由第二沟槽围绕。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 使用 图像传感器 封装 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:主体,具有彼此相反的第一表面和第二表面;第一沟槽,形成在所述主体的所述第一表面中;第二沟槽,形成在所述主体的所述第二表面中;第三沟槽,形成在所述第二沟槽的底表面中;以及孔,将所述第一沟槽连接到所述第三沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的