[发明专利]堆叠纳米线制造方法有效
| 申请号： | 201310007063.5 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103915316B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 马小龙;殷华湘;秦长亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：步骤a，在衬底上形成硬掩模；步骤b，各向异性刻蚀衬底形成第一沟槽与鳍片；步骤c，湿法腐蚀鳍片以及下方衬底，在第一沟槽侧面形成第二沟槽；其中，多次重复步骤b至步骤c，形成上下层叠的多个鳍片；步骤d，圆润化鳍片，形成堆叠纳米线。依照本发明的堆叠纳米线制造方法，结合了干法刻蚀与湿法刻蚀，利用双重内切腐蚀形成了高精度堆叠纳米线，有利于器件小型化，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 堆叠 鳍片 衬底 制造 各向异性刻蚀 多次重复 干法刻蚀 沟槽侧面 上下层叠 湿法腐蚀 湿法刻蚀 硬掩模 内切 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种堆叠纳米线制造方法，包括：步骤a，在衬底上形成硬掩模；步骤b，各向异性刻蚀衬底形成第一沟槽与鳍片；步骤c，湿法腐蚀鳍片以及下方衬底，在第一沟槽侧面形成三角形的第二沟槽，第二沟槽上下端点不在垂直于衬底的直线上；其中，多次重复步骤b至步骤c，形成上下层叠的多个鳍片，其中每次循环中的步骤b的各向异性刻蚀使得前一次循环中步骤c的第二沟槽上下端点分布在一条垂直于衬底的直线上；步骤d，圆润化鳍片，形成堆叠纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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