[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310007163.8 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103227201B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李昌承;李周浩;金容诚;金俊成;文彰烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 晶体管 第二区域 第一区域 沟道区域 漏极电极 源极电极 基板 制造 三维 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：栅极，在基板上；沟道层，具有三维(3D)沟道区域，部分地覆盖所述栅极的两个侧表面和顶表面；源极电极，接触所述沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触所述沟道层的第二区域，其中所述源极电极包括：与所述三维沟道区域间隔开的第一源极电极部分，所述第一源极电极部分具有大于所述三维沟道区域的高度的高度，以及第二源极电极部分，其在所述第一源极电极部分和所述三维沟道区域之间，其中，所述第一源极电极部分和第二源极电极部分的底表面直接接触所述沟道层的上表面，以及所述第二源极电极部分具有小于所述第一源极电极部分的高度的高度。
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