[发明专利]可多次编程器件、半导体器件的制作方法

摘要

一种可多次编程器件、包含所述可多次编程器件的半导体器件的制作方法，所述可多次编程器件包括熔丝和反熔丝，所述熔丝和反熔丝并联。并联的熔丝和反熔丝构成的可多次编程器件，在加电压的情况下会经历从低阻到高阻再到低阻的状态变化，具有提供一种可多次编程的能力供电路设计人员根据需要选择应用。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括MOS晶体管区域和熔丝区域；在所述半导体衬底上形成多晶硅层；利用光刻和刻蚀工艺处理所述多晶硅层，以在所述MOS晶体管区域的半导体衬底上形成MOS晶体管的栅极结构，在所述熔丝区域形成电可编程熔丝结构；形成接触孔，所述接触孔包括形成在MOS晶体管上的接触孔与形成在所述电可编程熔丝结构的阳极和阴极上的接触孔；在所述接触孔中填充导电材料以形成导电插塞；形成层间介质层，覆盖所述导电插塞；利用光刻和刻蚀工艺处理所述层间介质层，使得在所述MOS晶体管区域上的所述层间介质层中形成金属互连槽和在所述熔丝区域上的所述层间介质层中形成具有反熔丝的金属电极图形的沟槽；在所述金属互连槽和具有金属电极图形的沟槽中填充金属，以在所述MOS晶体管区域上形成所述MOS晶体管的第一金属层和在所述熔丝区域上形成所述反熔丝的金属电极，所述反熔丝的金属电极图形有两个，各自分别对应连接所述电可编程熔丝结构的阳极和阴极上的导电插塞。