[发明专利]超低方阻金属化铝膜无效
| 申请号： | 201310007933.9 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103077821A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 汤泽波;罗健 | 申请（专利权）人： | 铜陵市东市电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/14 |
| 代理公司： | 安徽信拓律师事务所 34117 | 代理人： | 苏看 |
| 地址： | 244000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种超低方阻金属化铝膜，涉及电容器技术领域，由基膜和金属化铝膜层组成，所述的金属化铝膜层的方阻为0.25~0.65Ω/□，而常规金属化铝膜层的方阻为2~4Ω/□，即金属化铝膜层的厚度是常规金属化铝膜的7倍左右，金属化铝膜层大幅度增厚，意味着在真空蒸镀金属化铝膜时，要在同样的时间内在基膜上沉淀更多的铝。本发明的超低方阻金属化铝膜性能稳定，长期存放不会变质，可耐受大电流冲击，能在极端环境下如太空中使用，承受温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件。 | ||
| 搜索关键词： | 超低方阻 金属化 | ||
【主权项】：
一种超低方阻金属化铝膜，由基膜和金属化铝膜层组成，其特征在于：所述的金属化铝膜层的方阻为0.25~0.65Ω/□。
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