[发明专利]抗干扰的锰铜分流器有效
| 申请号： | 201310008123.5 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103076475A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 万晓东;张自有 | 申请（专利权）人： | 浙江力辉电器有限公司 |
| 主分类号： | G01R11/02 | 分类号： | G01R11/02 |
| 代理公司： | 温州高翔专利事务所 33205 | 代理人： | 黄乙轶 |
| 地址： | 325609 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供能够有效减小外界磁场干扰的锰铜分流器，包括两侧的导电片和锰铜采样片，锰铜采样片的两端分别设有用于连接采样线的接线柱，锰铜采样片的两端分别与两侧的导电片相连接，锰铜采样片具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面，锰铜采样片两端呈以一个基准面为中心的两侧对称分布，锰铜采样片在该中心基准面上的投影面积大于锰铜采样片在另两个基准面上的投影面积。 | ||
| 搜索关键词： | 抗干扰 分流器 | ||
【主权项】：
一种抗干扰的锰铜分流器，包括两侧的导电片（2）和锰铜采样片（1），锰铜采样片（1）的两端分别设有用于连接采样线的接线柱（19），锰铜采样片（1）的两端分别与两侧的导电片（2）相连接，其特征在于：锰铜采样片（1）具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面，锰铜采样片（1）两端呈以一个基准面为中心的两侧对称分布，锰铜采样片（1）在该中心基准面上的投影面积大于锰铜采样片（1）在另两个基准面上的投影面积。
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