[发明专利]能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜

摘要

本发明公开了一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜，有两种结构，第一种：该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx，折射率为2.0-2.1，厚度为70-80nm；该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层，厚度为3-10nm。第二种：该钝化减反膜的底层为钝化层SiNx，折射率为2.2-2.3，厚度为9-11nm；b、该钝化减反膜的中间层为导电层非晶硅层，厚度为3-10nm；该钝化减反膜的顶层为减反层SiNx层，折射率为2.0-2.1，厚度为60-70nm。应用本发明所述钝化减反膜的太阳电池，可从电池端有效地预防PID效应，且本发明基于目前的传统传统电池工艺，只改变减反膜的成分和厚度组合，能与目前的电池工艺兼容，易于实现。本发明所述能抗PID效应的钝化减反膜，适用于传统P型电池，也适用于高效背钝化电池，EWT、MWT电池，N型IBC电池等。

主权项

一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜，其特征在于：a、该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx，折射率为2.0‑2.1，厚度为70‑80nm；b、该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层，厚度为3‑10nm。