[发明专利]用于在石墨烯薄膜上生成透明导电薄膜的溅射镀膜装置无效
| 申请号： | 201310008626.2 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103060761A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 刘志斌;杨晓晖;黄海东;陈凯 | 申请（专利权）人： | 无锡力合光电石墨烯应用研发中心有限公司;无锡力合光电传感技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 214174 江苏省无锡市惠山区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在石墨烯薄膜上生成透明导电薄膜的溅射镀膜装置，包括真空腔体、靶材和基片，所述真空腔体接地，靶材接负电，基片接正电、悬空或接地，所述靶材和基片之间设中性原子可通过的阳极装置，所述阳极装置的电位大于或等于基片的电位。本发明提供的溅射镀膜方法实现了在石墨烯薄膜上生成透明导电电极膜层并且不破坏石墨烯膜层的目标；并且能够获得均匀的镀膜，减小了透明导电膜的电阻率的作用；且工艺简单，成本低，所得产品性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 石墨 薄膜 生成 透明 导电 溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种用于在石墨烯薄膜上生成透明导电薄膜的溅射镀膜装置，包括真空腔体、靶材和基片，所述真空腔体接地，靶材接负电，基片接正电、悬空或接地，其特征在于，所述靶材和基片之间设中性原子可通过的阳极装置，所述阳极装置的电位大于或等于基片的电位。
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