[发明专利]高纯金属氧化物制备新工艺有效
| 申请号： | 201310008904.4 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103184466A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王薇;王玉天;张维钧;胡劲;赵旭刚;文劲松 | 申请（专利权）人： | 昆明贵千新型材料技术研究有限公司 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25B13/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650093 云南省昆明市五华区学府路2*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯金属氢氧化物制备新方法，特别是采用隔膜电解工艺将高纯金属生成高纯金属氢氧化物，并将高纯金属氢氧化物在真空下煅烧生成高纯氧化物。本发明以高纯水为电解介质；以玻璃纸，胶棉膜等为阴离子半透膜；高纯钛片作为电极；选择直流电源作为电源。在电解池的阴极放置一块与钛电极板面积大小相当的高纯金属（镍，镁，锌，铬，铟，镓，钴，铁等）片材，控制电压，进行电解反应，可在电解槽的阴极槽得到高纯金属氢氧化物。将阴极电解液过滤，滤渣煅烧，得高纯金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 金属 氧化物 制备 新工艺 | ||
【主权项】：
高纯金属氧化物制备方法，其特征包括：以高纯水为电解介质；选用阴离子渗透膜膜；以纯度≥99%钛片作为电极；选择直流电源作为电源，在电解池的阴极一侧中放置一块与钛电极板面积大小相当的纯度≥99%为高纯金属片材，控制电压和电解时间，在电解槽的阴极槽获得高纯金属氢氧化物，将阴极电解液过滤，滤渣煅烧，得高纯金属氧化物。
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