[发明专利]一种电源转换器中的高压启动电路在审
申请号: | 201310009013.0 | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN103078486A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 张楠 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 马晓亚 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高压启动电路,包括高压N型耗尽型晶体管,其漏端接HVDC端口;第一晶体管,其漏端连接耗尽型晶体管的源端;二极管,其正端连接变压器的线圈,负端连接第一晶体管的源端;变压器的线圈,其连接二极管的正端;储能电容,其一端连接二极管的负端;第二晶体管,其漏端连接第一晶体管的栅端和耗尽型晶体管的栅端,其栅端连接SD端口,接受SD端口信号的控制;电阻型器件,其一端连接耗尽型晶体管的源端,另一端连接耗尽型晶体管的栅端。本高压启动电路,避免了使用外置的启动电阻,系统集成度较高,且流经N型耗尽管电流较低,有效地降低了启动电路的电流损耗,降低了系统的待机功耗,且启动时间较快。 | ||
搜索关键词: | 一种 电源 转换器 中的 高压 启动 电路 | ||
【主权项】:
一种高压启动电路,其包括高压N型耗尽型晶体管,所述耗尽型晶体管为四端口器件,其中所述耗尽型晶体管的漏端接HVDC端口,从HVDC端口的电源取电;第一晶体管,所述第一晶体管为四端口器件,其中所述第一晶体管的漏端连接所述耗尽型晶体管的源端;二极管,所述二极管正端连接变压器的线圈,负端连接所述第一晶体管的源端;变压器的线圈,所述变压器的线圈连接所述二极管的正端;储能电容,所述储能电容的一端连接所述二极管的负端和所述第一晶体管的源端;第二晶体管,所述第二晶体管为四端口器件,其中所述第二晶体管的漏端连接所述第一晶体管的栅端和所述耗尽型晶体管的栅端,所述第二晶体管的栅端连接SD端口,接受SD端口信号的控制;电阻型器件,所述电阻型器件一端连接所述耗尽型晶体管的源端和所述第一晶体管的漏端,另一端连接所述耗尽型晶体管的栅端和所述第一晶体管的栅端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司,未经无锡华润上华半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310009013.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置