[发明专利]一种多值相变随机存储器的存储单元及操作方法

摘要

本发明公开了一种多值相变随机存储器的存储单元及其操作方法，利用相变随机存储器自身的寄生效应，写入时通过改变选通元件的总寄生电阻来改变相变存储元件的RESET电压的下降时间，从而使相变存储元件部分结晶而改变相变存储元件的非晶态电阻（RESET电阻），而在读出时，通过小电流的输入感应相变存储元件上电压的大小而读出相变存储元件存储的数值，从而实现一个相变存储元件的多值存储。本发明通过实现一个相变存储元件的多位存储，而不用改变读写电路，因此可以再大规模存储器中能有效提高相变随机存储器的存储密度。

主权项

一种多值相变随机存储器的存储单元，其特征在于，包括相变存储元件、第一选通元件和第二选通元件；所述相变存储元件的一端与位线相连；所述第一选通元件的一端与所述相变存储元件的另一端连接，所述第一选通元件的另一端接地，所述第一选通元件的控制端与第一字线连接；所述第二选通元件的一端与所述相变存储元件的另一端连接，所述第二选通元件的另一端接地，所述第二选通元件的控制端与第二字线连接；所述第一选通元件的导通寄生电阻大于所述第二选通元件的导通寄生电阻。