[发明专利]晶体管的形成方法有效
申请号: | 201310009243.7 | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN103928326B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 张海洋;王新鹏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种晶体管的形成方法,包括提供具有伪栅极的半导体衬底,在半导体衬底上形成有层间介质层;去除所述伪栅极,形成第一沟槽;在所述第一沟槽底部形成氧化硅层,作为界面层;形成氧化硅层后,在所述第一沟槽中形成位于所述氧化硅层上的高K栅介质层、位于所述高K栅介质层上的氮化钛层,填充部分深度的第一沟槽;对所述氮化钛层进行吸氧物质掺杂;对所述氮化钛层进行吸氧物质掺杂后,形成多晶硅层,填充第一沟槽;去除所述多晶硅层,形成第二沟槽;在所述第二沟槽中形成导电物质,作为栅极。与现有技术的高K栅介质层技术相比,本发明的等效氧化层厚度降到0.5nm以下,最终稳定并提升了沟道区中载流子的迁移率,抑制漏电流的产生。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供具有伪栅极的半导体衬底,在半导体衬底上形成有层间介质层;去除所述伪栅极,形成第一沟槽;在所述第一沟槽底部形成氧化硅层,作为界面层;形成氧化硅层后,在所述第一沟槽中形成位于所述氧化硅层上的高K栅介质层、位于所述高K栅介质层上的氮化钛层,填充部分深度的第一沟槽;对所述氮化钛层进行吸氧物质掺杂;对所述氮化钛层进行吸氧物质掺杂后,形成多晶硅层,填充第一沟槽,所述形成多晶硅层的方法为化学气相沉积法,其中,在沉积反应腔内温度范围为400℃~600℃;去除所述多晶硅层,形成第二沟槽;在所述第二沟槽中形成导电物质,作为栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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