[发明专利]晶体管的形成方法有效

专利信息
申请号: 201310009243.7 申请日: 2013-01-10
公开(公告)号: CN103928326B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 张海洋;王新鹏 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种晶体管的形成方法,包括提供具有伪栅极的半导体衬底,在半导体衬底上形成有层间介质层;去除所述伪栅极,形成第一沟槽;在所述第一沟槽底部形成氧化硅层,作为界面层;形成氧化硅层后,在所述第一沟槽中形成位于所述氧化硅层上的高K栅介质层、位于所述高K栅介质层上的氮化钛层,填充部分深度的第一沟槽;对所述氮化钛层进行吸氧物质掺杂;对所述氮化钛层进行吸氧物质掺杂后,形成多晶硅层,填充第一沟槽;去除所述多晶硅层,形成第二沟槽;在所述第二沟槽中形成导电物质,作为栅极。与现有技术的高K栅介质层技术相比,本发明的等效氧化层厚度降到0.5nm以下,最终稳定并提升了沟道区中载流子的迁移率,抑制漏电流的产生。
搜索关键词: 晶体管 形成 方法
【主权项】:
一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供具有伪栅极的半导体衬底,在半导体衬底上形成有层间介质层;去除所述伪栅极,形成第一沟槽;在所述第一沟槽底部形成氧化硅层,作为界面层;形成氧化硅层后,在所述第一沟槽中形成位于所述氧化硅层上的高K栅介质层、位于所述高K栅介质层上的氮化钛层,填充部分深度的第一沟槽;对所述氮化钛层进行吸氧物质掺杂;对所述氮化钛层进行吸氧物质掺杂后,形成多晶硅层,填充第一沟槽,所述形成多晶硅层的方法为化学气相沉积法,其中,在沉积反应腔内温度范围为400℃~600℃;去除所述多晶硅层,形成第二沟槽;在所述第二沟槽中形成导电物质,作为栅极。
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