[发明专利]一种热释电红外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种热释电红外探测器及制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明的方法为：首先清洗硅衬底，并对硅衬底进行沉积处理；并在硅衬底的基片上制作带斜坡的凹槽；清洗凹槽并进行沉积处理，在凹槽表面形成阻挡层；然后对硅衬底进行清洗，吹干处理；并在凹槽壁、凹槽的一侧边上制备底电极；接着在凹槽壁内的底电极上方沉积热释电厚膜材料，待烘干、等静压处理后，烧结为陶瓷；最后，在热释电厚膜材料上制备上电极。本发明还公开了基于本发明的制备方法所获得的一种新的热释电红外探测器结构。本发明的应用，可以有效防止厚膜材料的开裂，保护厚膜完整性，有利于提高厚膜的质量和探测器的成品率，使热释电厚膜探测器获得良好的性能。

主权项

一种热释电红外探测器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S1：清洗硅衬底，并对所述硅衬底进行沉积处理；步骤S2：在所述硅衬底的基片上制作带斜坡的凹槽；步骤S3：清洗所述凹槽并进行沉积处理，在所述凹槽表面形成阻挡层；步骤S4：对步骤S3处理后的硅衬底进行清洗，吹干处理；光刻底电极图形，并在所述凹槽壁、凹槽的一侧边上制备底电极；步骤S5：在所述凹槽壁内的底电极上方沉积热释电厚膜材料，并进行烘干、等静压处理，再烧结为陶瓷；步骤S6：光刻上电极图形，在所述热释电厚膜材料上制备上电极。