[发明专利]图像传感器有效
| 申请号： | 201310009436.2 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103022069A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 苗田乐;方娜;田犁;陈杰;汪辉 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种图像传感器，提高了图像传感器的动态范围。该图像传感器包括：第一感光结构、第二感光结构、开关晶体管、比较器、像素读出电路，其中：所述开关晶体管连接于所述第一感光结构和第二感光结构之间，用于控制所述第一感光结构和第二感光结构的连接状态；所述比较器的两输入端分别连接参考电位和第二感光结构，输出端连接所述开关晶体管栅极；所述像素读出电路与第二感光结构连接，读出感光信号。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，置于半导体衬底表面，其特征在于，所述图像传感器至少包括：第一感光结构、第二感光结构、开关晶体管、比较器、像素读出电路，其中：所述开关晶体管连接于所述第一感光结构和第二感光结构之间，用于控制所述第一感光结构和第二感光结构的连接状态；所述比较器的两输入端分别连接参考电位和第二感光结构，输出端连接所述开关晶体管栅极；所述像素读出电路与第二感光结构连接，读出感光信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中科高等研究院，未经上海中科高等研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310009436.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
