[发明专利]用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201310009479.0 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103030119A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郭永权;郑淑;付丽 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明提出的用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物是CuIn1-xRxTe2四元化合物；x=0~0.8。首先按照化学计量比称量Cu、In、R、Te四种元素的单质，然后使用非自耗真空电弧炉在惰性气体保护下反复熔炼Cu和In单质，得到成分均匀的Cu-In合金；再用高温真空固态反应将Cu-In合金、R和Te在马弗炉中处理；将获得的产物经冷却、球磨、烘干和分离提纯后即得到用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物。该化合物提高了光电池的光电转化效率，降低了成本；本发明提供的方法操作简单，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 太阳能电池 吸收 稀土 半导体 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物，其特征在于，所述的化合物为一种由铜、铟、稀土元素、碲元素组成的CuIn1‑xRxTe2四元化合物；其中，所述的稀土元素选自：La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的任意一种；x=0~0.8。
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