[发明专利]水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法

摘要

本发明公开了一种水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法，其主要在四周保温筒的左端部及右端部设有左右保温罩，在四周保温筒的内部中心位置设有坩埚，在坩埚托座的底端部固定有坩埚托杆，在左保温罩上设有左生长梯度提供发热体，在右保温罩上设有右生长梯度提供发热体，在四周保温筒的筒侧壁上设有圆筒形高温环境提供发热体，圆筒形高温环境提供发热体套在坩埚的外部，穿过四周保温筒并在圆筒形高温环境提供发热体的筒侧壁上从左向右均匀间隔设置若干个第一热电偶，穿过左保温罩并在左生长梯度提供发热体上中心位置从上而下均匀间隔设置若干个第二热电偶。本发明可对整个水平温度梯度法的温场的轴向和径向温度梯度真正做到实时可控调节，得到高质量的单晶。

主权项

一种水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置，其特征是：包括一个生长炉，在生长炉上设有抽真空接口，在生长炉内设有四周保温筒（301），在四周保温筒（301）的左端部设有左保温罩（311），在四周保温筒（301）的右端部设有右保温罩（312），在四周保温筒（301）的内部中心位置设有坩埚（401），坩埚（401）的形状为圆台形，在坩埚（401）的下方设有坩埚托座（601），坩埚（401）放置在坩埚托座（601）上，在坩埚托座（601）的底端部固定有坩埚托杆（611），坩埚托杆（611）滑动安装在四周保温筒（301）上，在左保温罩（311）上设有左生长梯度提供发热体（211），左生长梯度提供发热体（211）设置在左保温罩（311）的右方，在右保温罩（312）上设有右生长梯度提供发热体（212），右生长梯度提供发热体（212）设置在右保温罩（312）的左方，在四周保温筒（301）的筒侧壁上设有圆筒形高温环境提供发热体（201），圆筒形高温环境提供发热体（201）套在坩埚（401）的外部，且圆筒形高温环境提供发热体（201）、左生长梯度提供发热体（211）、右生长梯度提供发热体（212）均与坩埚（401）呈同轴设置，穿过四周保温筒（301）并在圆筒形高温环境提供发热体（201）的筒侧壁上从左向右均匀间隔设置若干个第一热电偶（101），穿过左保温罩（311）并在左生长梯度提供发热体（211）上中心位置从上而下均匀间隔设置若干个第二热电偶（111）。