[发明专利]负极活性材料、其制造方法和包括其的可充电锂电池有效

专利信息
申请号: 201310009919.2 申请日: 2013-01-10
公开(公告)号: CN103247789A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 朴相垠;金英旭 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/485;H01M10/0525
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;王占杰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 根据本发明的实施例,一种用于可充电锂电池的负极活性材料包括由SiOx(其中,0<x<2)表示的氧化硅颗粒,其中,硅相的原子%根据从每个颗粒的表面朝颗粒中心延伸的深度以浓度梯度减小,并且O相的原子%以浓度梯度增大。在根据该深度的硅(Si)相的原子%浓度曲线图中,硅(Si)相的原子%浓度从表面(此处,深度为0)到硅(Si)相的浓度为55原子%时的深度的积分值为大约5000nm·原子%至大约40000nm·原子%。
搜索关键词: 负极 活性 材料 制造 方法 包括 充电 锂电池
【主权项】:
一种用于可充电锂电池的负极活性材料,所述负极活性材料包括多个氧化硅颗粒,每个氧化硅颗粒具有Si相和O相,其中:每个氧化硅颗粒的Si相的原子百分比按照从氧化硅颗粒表面处Si相的较大原子百分比朝氧化硅颗粒的中心至Si相的较小原子百分比的浓度梯度减小;每个氧化硅颗粒的O相的原子百分比按照从氧化硅颗粒表面处O相的较小原子百分比朝氧化硅颗粒的中心至O相的较大原子百分比的浓度梯度增大;以及氧化硅颗粒的表面与Si相的原子百分比为55原子%时的深度之间的距离为氧化硅颗粒的颗粒直径的2%至20%。
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