[发明专利]常压下低温等离子体密度参数的诊别方法有效

专利信息
申请号: 201310010841.6 申请日: 2013-01-11
公开(公告)号: CN103048522A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 张仲麟;王春生;江滨浩 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张宏威
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 常压下低温等离子体密度参数的诊别方法,属于等离子体领域,本发明为解决现有等离子体诊断方法在其测量过程中精确度低、效率差、对环境要求较高、使用寿命短、成本相对昂贵等一系列问题。本发明方法包括以下步骤:步骤一、用电压互感器检测放电通道内气体压降Ug(t);步骤二、用电流互感器检测为传导电流jc(x,t);步骤三、根据步骤一获取的放电通道内气体压降Ug(t)和传导电流jc(x,t)获取总的放电电流jT;步骤四、根据步骤三获取的总的放电电流jT获取等离子体密度n(t);步骤五、获取离散化等离子体密度nm+1(t),以实现对等离子体密度参数的诊别。
搜索关键词: 压下 低温 等离子体 密度 参数 方法
【主权项】:
常压下低温等离子体密度参数的诊别方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、用电压互感器检测放电通道内气体压降Ug(t)步骤二、用电流互感器检测放电过程中的传导电流jc(x,t),x=0~dg,式中:dg为放电通道长度,x为放电通道中某一位置的坐标,步骤三、根据步骤一获取的放电通道内气体压降Ug(t)和传导电流jc(x,t),利用公式 j T ( t ) = ( 2 d B ϵ 0 ϵ B + d g ϵ 0 ) - 1 [ 0 d g j c ( x , t ) ϵ 0 dx + U g ( t ) t ] 获取总的放电电流jT,式中:ε0为真空介电常数,εB为等离子体的相对介电常数,dB为所电极表面所覆盖介质厚度,步骤四、根据步骤三获取的总的放电电流jT,利用公式 n ( t ) = ej T ( t ) = e ( 2 d B ϵ 0 ϵ B + d g ϵ 0 ) - 1 [ 0 d j c ( x , t ) ϵ 0 dx + U a ( t ) t ] 获取等离子体密度n(t),步骤五、获取离散化等离子体密度nm+1(t),以实现对等离子体密度参数的诊别。
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