[发明专利]一种降低影像传感器小丘的方法无效
申请号: | 201310011283.5 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103066091A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 李平 | 申请(专利权)人: | 陆伟 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 200124 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种降低影像传感器小丘的方法,包括淀积粘合层、铝遮蔽、破真空和淀积抗反射层,粘合层为一层厚度为20-100埃的金属钛层,且金属钛层上淀积有一层厚度为200-300埃的氮化钛层,铝遮蔽的厚度为1000-3000埃,抗反射层厚度为300-600埃。在铝淀积完成后进行破真空处理,即离开腔体依靠空气缓慢冷却,释放应力,为尽可能的减少对产能的影响,破真空的时间控制在20分钟至30分钟。本发明优化了铝遮蔽传统工艺,在铝淀积后采用破真空的方法来缓解铝薄膜的应力,解决小丘现象,本发明对比起传统铝遮蔽工艺,减少了小丘,降低了串扰,提高了传感器的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 影像 传感器 小丘 方法 | ||
【主权项】:
一种降低影像传感器小丘的方法,其特征在于包括以下步骤:淀积粘合层:在影像传感器衬底上淀积一层粘合层;铝遮蔽:在淀积腔体内将铝淀积在覆有粘合层的衬底上形成铝遮蔽;破真空:将完成铝遮蔽的衬底从淀积腔体取出,通过空气慢慢冷却;淀积抗反射层:在铝遮蔽上淀积一层氮化钛形成抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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