[发明专利]硅中介层制作方法有效
| 申请号： | 201310011286.9 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103077922A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 陆伟 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅中介层制作方法，包括以下步骤：步骤一，在基底上划分出硅中介层区域；步骤二，在硅中介层中制作硅中介元件；步骤三，将基底与载片键合连接，硅中介层位于载片与基底之间；步骤四，将硅中介层从基底上分离；步骤五，在硅中介层表面做平坦化处理；步骤六，硅中介层与载片分离。本发明的有益效果是工艺过程简单，提高可硅材料的利用率，缩短了制作硅介质层时间同时提高了产品良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅中介层制作方法，包括以下步骤：步骤一，在基底上划分出硅中介层区域；步骤二，在硅中介层中制作金属线和与金属线连接的通孔；步骤三，将基底与载片键合连接，硅中介层位于载片与基底之间；步骤四，将硅中介层从基底上分离；步骤五，在硅中介层表面做平坦化处理,直到露出金属线；步骤六，硅中介层与载片分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
