[发明专利]具有降低了的模糊和颜色混合的固态图像传感器无效
申请号: | 201310011483.0 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN103178073A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 河野祥士;小泉彻 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有降低了的模糊和颜色混合的固态图像传感器。能够抑制模糊和颜色混合的固态成像装置包括多个像素,每个像素包含光电转换部分和用于传送来自光电转换部分的信号电荷的传送部分,其中,在半导体基板上形成的第一导电类型的阱区域中形成多个光电转换部分,在相邻的光电转换部分之间布置第二导电类型的第一杂质区域,在第一杂质区域和每一个光电转换部分之间布置杂质浓度比阱区域的杂质浓度高的第一导电类型的第二杂质区域,并且,在半导体基板和第一杂质区域之间布置杂质浓度比阱区域的杂质浓度高并且从半导体基板向装置的表面方向减小的第一导电类型的第三杂质区域。 | ||
搜索关键词: | 具有 降低 模糊 颜色混合 固态 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:多个像素,每个像素包含:用于将入射光转换成信号电荷的光电转换部分;和用于传送来自光电转换部分的信号电荷的传送部分,其中,光电转换部分和传送部分被至少布置在半导体基板上,光电转换部分包含用于蓄积信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域和与第一半导体区域形成PN结的第二导电类型的第二半导体区域,第一导电类型的第三半导体区域被布置在相邻的第一半导体区域之间,具有第二导电类型并且杂质浓度比第二半导体区域的杂质浓度高的第四半导体区域被布置在第一半导体区域和第三半导体区域之间,并且,具有第二导电类型的第五半导体区域被布置在第三半导体区域下面,所述第五半导体区域的杂质浓度比第二半导体区域的杂质浓度高,从而形成使得杂质浓度向着表面方向逐渐降低的杂质浓度轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的