[发明专利]一种用于在单纳米线上制备电极的方法

摘要

本发明公开一种用于在单纳米线上制备电极的方法，该方法用来在纳米线的特定位置上制备电极实现电接触，主要通过纳米线的转移、分散，电子束光刻套刻和纳米薄膜沉积等微纳米制造工艺实现，本发明方法的主要特点是使用Al薄膜作为电子束光刻的导电层和纳米线的保护层以及剥离工艺的底切层，使用该方法能够显著提高电极与纳米线的对准精度和制备成功率，该方法可用于制备单纳米线太阳能电池、光电探测器、发光二极管、激光器以及传感器等。

主权项

一种用于在单纳米线上制备电极的方法，其特征在于：该制备电极的方法包括以下步骤：将纳米线分散在绝缘基底上，然后在绝缘基底上覆盖一层纳米级的Al薄膜作为导电层和纳米线的覆盖层，然后在Al薄膜上旋涂电子束光刻胶，根据绝缘基底上纳米线的位置对旋涂的电子束光刻胶进行光刻显影、坚膜得到电极的光刻胶图案，然后湿法刻蚀Al薄膜形成底切窗口，然后沉积金属并对沉积在电子束光刻胶上的金属进行剥离，然后腐蚀去除Al薄膜。