[发明专利]一种基于热光伏电池的单片连接组件的制备方法有效
申请号: | 201310011682.1 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103066159A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 谭明;陆书龙;季莲;何巍;代盼 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 孙东风;王锋 |
地址: | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种基于热光伏电池的单片连接组件制备方法,包括:I、在半绝缘衬底上生长外延层;II、在相邻设定电池单元之间的选定区域内均加工形成底端达到和/或深入横向传输层的槽状结构,并在槽状结构底部形成隔离槽;III、在槽状结构内壁上形成绝缘层,其后选择性去除隔离槽一侧的横向传输层上的绝缘层,并在露出的横向传输层上形成背电极,以及在各设定电池单元上端面上形成顶电极;IV、在任一槽状结构内均设置导电结构层,并将与该槽状结构相应的一设定电池单元的背电极与相邻的另一设定电池单元的顶电极电连接。本发明可实现多个电池单元之间的串联,提高了热光伏电池单片连接组件的开路电压,减少焦尔损失,提高系统可靠性,并实现较高光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 热光伏 电池 单片 连接 组件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于热光伏电池的单片连接组件制备方法,其特征在于,包括如下步骤:I、在半绝缘衬底上生长用以形成复数个设定电池单元的外延层;II、在任意两个相邻的设定电池单元之间的选定区域内均加工形成槽状结构,且使所述槽状结构底端达到或深入横向传输层,以及,在所述槽状结构底部的局部区域内加工形成用于将相邻两个设定电池单元电性隔离的隔离槽;III、至少在所述槽状结构内壁上形成绝缘层,其后选择性去除覆盖于所述隔离槽一侧的横向传输层上的绝缘层局部区域,并在露出的横向传输层上形成背电极,以及,在各设定电池单元的上端面上形成顶电极;IV、在任一槽状结构内均设置导电结构层,并将与该槽状结构相应的一设定电池单元的背电极与相邻的另一设定电池单元的顶电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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