[发明专利]一种晶圆表面缺陷修复方法有效
| 申请号： | 201310011705.9 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103077883A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 陆伟 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆表面缺陷修复方法，利用等离子体将氧气进行去耦合化，形成高能的氧自由基，与基底硅进行反应，形成氧化物，修复表面缺陷。本发明利用去耦合等离子氧化物方法，降低硅基底背面减薄造成的表面缺陷，通过在硅基底背面减薄后的表面上形成一层去耦合等离子氧化物DPO，降低硅基底背面减薄造成的表面缺陷，解决了因表面缺陷所引起的传感器的暗电流和白像素等问题，使得能够制造出优质的背照式CMOS影像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面缺陷修复方法，其特征在于，通过射频使氧气分子在室温下去耦合化，形成高能的氧自由基，所述氧自由基与放置在反应腔中的基底硅进行反应，在基底硅的表面上形成去耦合等离子氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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