[发明专利]半导体晶片太阳能电池、太阳能模块及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体晶片太阳能电池(10)，具有表面钝化的背面，所述半导体晶片太阳能电池包括由半导体材料制成的半导体晶片(12)，所述半导体晶片具有设置成用于光入射的正面(11)和背面，所述背面具有背面表面，所述背面表面通过介电的钝化层(14)表面钝化，其中在钝化层(14)上设置包括烧结的金属颗粒的背面金属电极结构(16)，背面金属电极结构(16)通过多个局部的接触区域(19)与半导体晶片(12)的半导体材料电接通，接触区域(19)构造成钝化层(14)的开口并占据小于背面表面的5％、优选地小于2％的电接触面，其特征在于，在背面金属电极结构(16)设置保护层(18)。

主权项

一种半导体晶片太阳能电池(10)，具有表面钝化的背面，所述半导体晶片太阳能电池包括由半导体材料制成的半导体晶片(12)，所述半导体晶片(12)具有：设置成用于光入射的正面(11)和背面，所述背面具有背面表面，所述背面表面通过介电的钝化层(14)表面钝化，其中在该钝化层(14)上设置包括烧结的金属颗粒的背面金属电极结构(16)，该背面金属电极结构(16)通过多个局部的接触区域(19)与该半导体晶片(12)的半导体材料电接通，该接触区域(19)构造成该钝化层(14)的开口并占据小于背面表面的5％，其特征在于:在该背面金属电极结构(16)设置保护层(18)，该背面金属电极结构(16)具有电池连接件接通部段，该保护层(18)为电池连接件接通部段留出空隙；以及该保护层(18)的热膨胀系数与该背面金属电极结构(16)的热膨胀系数处于相同的范围；其中，该保护层(18)的热膨胀系数与该背面金属电极结构(16)的热膨胀系数处2×10‑6/K至20×10‑6/K的范围内。