[发明专利]一种解决薄膜剥落的方法有效
| 申请号： | 201310011946.3 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103077884A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 陆伟 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，具体的是一种解决薄膜剥落的方法。包括以下步骤：步骤一：在晶圆的上表面淀积一层氧化层；步骤二：在所述氧化层的上表面淀积一层高介质层；步骤三：在所述高介质层的上表面淀积一层抗反射层，所述抗反射层即钽的氧化物，如氧化钽，淀积所述抗反射层使用的射频发生器的功率为1000～2000W。现有工艺使用的射频发生器的功率4000～6000W，由于RF（Radio Frequency）射频功率与薄膜应力表现出较强的相关性，本发明优化了该工艺参数，减少了抗反射层与底部之间的界面应力，在现实生产中可以有效避免抗反射层脱落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 薄膜 剥落 方法 | ||
【主权项】：
一种解决薄膜剥落的方法,其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在晶圆的上表面淀积一层氧化层；步骤二：在所述氧化层的上表面淀积一层高介质层；步骤三：在所述高介质层的上表面通过射频发生器淀积一层抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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