[发明专利]半导体激光器温控装置无效

专利信息
申请号: 201310012185.3 申请日: 2013-01-14
公开(公告)号: CN103076825A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 王宪涛;王斌;王勇 申请(专利权)人: 长春长理光学精密机械有限公司
主分类号: G05D23/20 分类号: G05D23/20;H01S5/024
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 吉林省长春市朝*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种用于半导体激光器的温控装置,其构成包括精密基准源,温度采样,温度设定,温度误差放大,锯齿波产生器,PWM信号发生器和功率变换级,精密基准源为温度采样和温度设定提供精密参考电压,温度采样与温度设定输出信号同时输入温度误差放大产生实际温度与设定温度的偏差信号,偏差信号与锯齿波产生器所产生的锯齿波同时输入PWM信号发生器,产生脉冲宽度调制信号,从而控制功率变换级的电压输出驱动半导体制冷片TEC来控制温度。本发明半导体激光器温控装置具有结构简单,效率高,成本低,实现了控制温度可调的功能,且可根据需要调节半导体激光器的稳定工作温度,温度误差≤±0.5℃。
搜索关键词: 半导体激光器 温控 装置
【主权项】:
一种用于半导体激光器的温控装置,特征在于其构成包括精密基准源,温度采样,温度设定,温度误差放大,锯齿波产生器,PWM信号发生器和功率变换级七部分;其连接关系是:精密基准源连接温度采样和温度设定,温度采样和温度设定同时连接温度误差放大,温度误差放大和锯齿波产生器同时连接PWM信号发生器,PWM信号发生器连接功率变换级。
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