[发明专利]一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法

摘要

本发明涉及一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，包括以下步骤，器件晶圆与逻辑晶圆键合后，对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;在刻蚀后的晶圆表面上淀积一层隔离氧化物层;在隔离氧化物层上涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出负性光刻胶图形，确定刻蚀沟槽的区域；以负性光刻胶图形为掩蔽层进行沟槽刻蚀；沟槽刻蚀后，在硅片上再涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出负性光刻胶图形，以负性光刻胶图形为掩蔽层刻蚀通孔，通孔刻蚀停止在逻辑晶圆顶层金属。本发明通过利用负性光刻胶制造高深宽比的沟槽，提高影像传感器的质量。

主权项

一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤一：器件晶圆与逻辑晶圆键合后，对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;步骤二：在刻蚀后的晶圆表面上淀积一层隔离氧化物层;步骤三：在隔离氧化物层上涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出第一次负性光刻胶图形，确定刻蚀沟槽的区域；步骤四：以第一次负性光刻胶图形为掩蔽层进行沟槽刻蚀，沟槽刻蚀停止在器件晶圆顶层金属的阻挡层和器件晶圆顶层金属下方的氮化硅层；步骤五：沟槽刻蚀后，在硅片上再涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出第二次负性光刻胶图形，确定刻蚀通孔的区域；步骤六：通孔刻蚀，以第二次负性光刻胶图形为掩蔽层刻蚀通孔，通孔刻蚀停止在逻辑晶圆顶层金属。