[发明专利]一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法无效
| 申请号： | 201310012312.X | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103094835A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 熊永华;余向红;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张若华 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法，包括：在激光器、调制器的InP衬底表面分别外延生长有源层、波导层，在有源层、波导层的表面均外延生产InP层；在InP层的表面沉积隔离层；在隔离层的表面旋涂光刻胶；采用曝光显影的方法，利用光刻板在光刻胶和隔离层的表面进行光刻，去除部分隔离层；打开扩散源进行元素扩散，对应去除隔离层的InP层形成元素扩散，保留有隔离层的InP层未形成元素扩散。本发明提出一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法，采用扩散方法改善电吸收调制激光器的隔离电阻特性，可以通过扩散浓度和扩散区域长度来调节隔离电阻值，对光波导层没有损伤，传输损耗低，具有高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 吸收 调制 激光器 隔离 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法，其特征在于：包括以下几个步骤：步骤一：在激光器、调制器的InP衬底表面分别外延生长有源层、波导层，在有源层、波导层的表面均外延生产InP层；步骤二：在InP层的表面沉积隔离层； 步骤三：在隔离层的表面旋涂光刻胶；步骤四：采用曝光显影的方法，利用光刻板在光刻胶和隔离层的表面进行光刻，去除部分隔离层； 步骤五：打开扩散源进行元素扩散，对应去除隔离层的InP层形成元素扩散，保留有隔离层的InP层未形成元素扩散。
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