[发明专利]一种影像传感器晶圆的键合方法有效
| 申请号： | 201310012320.4 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103065945A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 陆伟 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种影像传感器晶圆的键合方法，包括以下步骤：运用高密度等离子体化学气相淀积器件晶圆钝化层氧化物；对淀积钝化层氧化物的器件晶圆进行第一次化学机械研磨；将器件晶圆进行等离子体增强化学气相淀积法在原有的氧化物上再次淀积钝化层氧化物；对器件晶圆进行第二次化学机械研磨；将第二次化学机械研磨后的器件晶圆进行退火处理；将处理后的器件晶圆与进行等离子体增强化学气相淀积氧化物处理和化学机械研磨后的载片键合。有益效果是：在原有的第一次化学机械研磨后加入等离子体增强化学气相淀积和第二次化学机械研磨，更加有效的实现了晶圆表面的平坦度，解决了键合后可能产生的空洞问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 影像 传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种影像传感器晶圆的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：运用高密度等离子体化学气相淀积法对器件晶圆进行处理，淀积器件晶圆钝化层氧化物；对淀积钝化层氧化物的器件晶圆进行第一次化学机械研磨；将研磨后的器件晶圆进行等离子体增强化学气相淀积法处理，在器件晶圆原有的氧化物上再次淀积钝化层氧化物；对器件晶圆进行第二次化学机械研磨；将第二次化学机械研磨后的器件晶圆进行退火处理；将经上述步骤处理后的器件晶圆与进行等离子体增强化学气相淀积法处理和化学机械研磨后的载片键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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