[发明专利]一种键合后晶圆退火方法无效
| 申请号： | 201310012670.0 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103094099A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 陆伟 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种键合后晶圆退火方法。本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种键合晶圆退火技术的优化，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将键合后的晶圆以低于15℃/min的加温速率从室温加热至300℃；步骤二，将步骤一后的晶圆在300℃下保温1小时以上；步骤三，将步骤二后的晶圆以低于20℃/min的降温速率降温至室温。本发明的有益效果是：在退火的过程中，以较低的速率缓慢升温和以较低的速率缓慢降温，基本不用对现有的设备进行改动，整个退火过程只需要一次升温和一次降温，控制简单，操作方便，简化了现有退火工艺，并且有效地避免了升温和降温的速率过快导致晶圆的破片，提高了产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 键合后晶圆 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种键合后晶圆退火方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将键合后的晶圆置于腔体内以低于15℃/min的加温速率从室温加热至300℃；步骤二，将步骤一处理后的晶圆在300℃下保温1小时以上；步骤三，将步骤二处理后的晶圆以低于20℃/min的降温速率降温至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陆伟，未经陆伟许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310012670.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：顶置蒸发器壳体
- 下一篇：一种成长无缝填充非晶硅沟槽的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
